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RN2112,LF(CB
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RN2112,LF(CB 技術仕様
RN2112,LF(CB datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from Toshiba stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | Toshiba |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Power Dissipation-Max | 100mW |
Max Collector Current | 100mA |
Max Breakdown Voltage | 50V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Published | 2014 |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Frequency - Transition | 200MHz |
RN2112,LF(CB 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RN2112,LF(CB
-
データシート
その他には以下が含まれます: "RN211" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RN211'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RN2110 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 3320 |
RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2521 |
RN2110,LF(CB | Toshiba | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
RN2110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
RN2110ACT | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 10376 |
RN2110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2747 |
RN2110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2709 |
RN2110F | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 3700 |
RN2110FT | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8410 |
RN2110FV | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8000 |
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RN2112,LF(CB ブランドメーカー: Toshiba, Bonchip ストック, RN2112,LF(CB 参考価格. RN2112,LF(CB パラメーター, RN2112,LF(CB データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2112,LF(CB プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2112,LF(CB ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2112,LF(CB エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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