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TP65H035G4YS 技術仕様

The TP65H035G4YS from Transphorm is a GaN Power Transistor with Gate Threshold Voltage 3.6 V, Drain Source Voltage 650 V, Drain Source Resistance 35 milli-ohm, Continous Drain Current 46.5 A, Total Charge 142 nC. Tags: Through Hole.

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Transphorm
Factory Lead Time 3 Weeks
Description 650V SuperGaN FET
Gate Threshold Voltage 3.6 V
Drain Source Resistance 35 milli-ohm
Total Charge 142 nC
Output Capacitance 137 pF
Turn-off Delay Time 108 ns
Fall Time 8 ns
Package Type Through Hole
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Industry Commercial, Industrial, Renewable Energy
Drain Source Voltage 650 V
Continous Drain Current 46.5 A
Input Capacitance 2680 pF
Turn-on Delay Time 43 ns
Rise Time 12.4 ns
Temperature operating range -55 to 150 Degree C
Applications Datacom, Broad industrial, PV inverter, Servo motor
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TP65H035G4YS ブランドメーカー: Transphorm, Bonchip ストック, TP65H035G4YS 参考価格. TP65H035G4YS パラメーター, TP65H035G4YS データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 TP65H035G4YS プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 TP65H035G4YS ピン図と回路図と機能の使用方法、 TP65H035G4YS エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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