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TP65H050G4YS
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TP65H050G4YS 技術仕様
650V 50mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device built using Transphorm’s Gen IV platform. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Transphorm |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Power Dissipation (Max) | 132W (Tc) |
Mounting Type | Through Hole |
Standard Package | 450 |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Supplier Device Package | TO-247-4L |
TP65H050G4YS 書類
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データシート
TP65H050G4YS.pdf
その他には以下が含まれます: "TP65H" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'TP65H'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
TP65H035G4YS | Transphorm | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | |
TP65H035WS | Transphorm | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2688 |
TP65H050WS | Transphorm | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2411 |
TP65H150G4PS | Transphorm | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | |
TP65H300G4LSG | Transphorm | 特殊なホットIC | 410 |
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TP65H050G4YS ブランドメーカー: Transphorm, Bonchip ストック, TP65H050G4YS 参考価格. TP65H050G4YS パラメーター, TP65H050G4YS データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 TP65H050G4YS プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 TP65H050G4YS ピン図と回路図と機能の使用方法、 TP65H050G4YS エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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