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SI3900DV-T1-GE3
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SI3900DV-T1-GE3 技術仕様
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 830mW |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
SI3900DV-T1-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI3900DV-T1-GE3
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データシート
SI3900DV-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI390" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI390'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI3900DV | VISHAY | 特殊なホットIC | 6000 |
SI3900DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 28437 |
SI3900DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SI3900DV-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 2081 |
SI3900DV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 44180 |
SI3900DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
Si3900DV-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 3388 |
SI3905DV-T1 | SILICON | 特殊なホットIC | 2056 |
SI3905DV-T1 IC | SILICONIX | 特殊なホットIC | 3455 |
SI3905DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 13435 |
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SI3900DV-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI3900DV-T1-GE3 参考価格. SI3900DV-T1-GE3 パラメーター, SI3900DV-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI3900DV-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI3900DV-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI3900DV-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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