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SI5513DC-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A, 2.1A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI5511DC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 9413
SI5511DC-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 6247
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5511DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2723
SI5511DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2612
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SI5513CDC VISHAY 特殊なホットIC 2578
SI5513CDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2515
SI5513CDC-T1-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2724
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SI5513DC-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI5513DC-T1-GE3 参考価格. SI5513DC-T1-GE3 パラメーター, SI5513DC-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI5513DC-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI5513DC-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI5513DC-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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