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SIHP12N60E-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 147W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIHP10N40D VISHAY 特殊なホットIC 10309
SIHP10N40D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2546
SIHP10N40D-E3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2534
SIHP10N40D-E3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIHP10N40D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2503
SIHP10N40D-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2585
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SIHP12N60E-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SIHP12N60E-E3 参考価格. SIHP12N60E-E3 パラメーター, SIHP12N60E-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIHP12N60E-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIHP12N60E-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIHP12N60E-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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