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HGT1S2N120CN 技術仕様

IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Switching Energy 96µJ (on), 355µJ (off)
Power - Max 104W
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262
Current - Collector (Ic) (Max) 13A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Td (on/off) @ 25°C 25ns/205ns
Supplier Device Package TO-262
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 30nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 20A
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HGT1S10N120BNS AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 3141
HGT1S10N120BNS Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 1180
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor 単一IGBT
HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 3181
HGT1S10N120BNST Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 5213
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor 単一IGBT
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 647
HGT1S12N60A4DS AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2995
HGT1S12N60A4DS Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 578
HGT1S12N60A4DS ON Semiconductor 単一IGBT

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HGT1S2N120CN ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, HGT1S2N120CN 参考価格. HGT1S2N120CN パラメーター, HGT1S2N120CN データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 HGT1S2N120CN プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 HGT1S2N120CN ピン図と回路図と機能の使用方法、 HGT1S2N120CN エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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