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NSVMUN5213DW1T3G 技術仕様

TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2236T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN5111DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 443211

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NSVMUN5213DW1T3G ブランドメーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVMUN5213DW1T3G 参考価格. NSVMUN5213DW1T3G パラメーター, NSVMUN5213DW1T3G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVMUN5213DW1T3G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVMUN5213DW1T3G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVMUN5213DW1T3G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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