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EPC2101 技術仕様

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 917-1181-2
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 14 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
EPC2100 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2532
EPC2100ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2719
EPC2100ENGRT EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2619
EPC2101ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2664
EPC2101ENGRT EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2689
EPC2102 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2692
EPC2102ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2715
EPC2102ENGRT EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2580
EPC2103 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2766
EPC2103ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2641

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