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EPC2103
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EPC2103 技術仕様
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Series | eGaN® |
Power - Max | - |
Package / Case | Die |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A Surface Mount Die |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | 917-1183-1 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 14 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A |
EPC2103 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください EPC2103
-
データシート
EPC2103.pdf
その他には以下が含まれます: "EPC21" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'EPC21'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
EPC2100 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2532 |
EPC2100ENG | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2719 |
EPC2100ENGRT | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2619 |
EPC2101 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2635 |
EPC2101ENG | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2664 |
EPC2101ENGRT | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2689 |
EPC2102 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2692 |
EPC2102ENG | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2715 |
EPC2102ENGRT | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2580 |
EPC2103ENG | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2641 |
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輸送方法 | ||
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