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EPC2102ENGRT 技術仕様

MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tj)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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EPC2100 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2532
EPC2100ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2719
EPC2100ENGRT EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2619
EPC2101 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2635
EPC2101ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2664
EPC2101ENGRT EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2689
EPC2102 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2692
EPC2102ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2715
EPC2103 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2766
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