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EPC8003ENGR
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EPC8003ENGR 技術仕様
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 500mA, 5V |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 38pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
EPC8003ENGR 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください EPC8003ENGR
その他には以下が含まれます: "EPC80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'EPC80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
EPC8002 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2559 |
EPC8002ENGR | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2547 |
EPC8004 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2774 |
EPC8004ENGR | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2593 |
EPC8005ENGR | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2557 |
EPC8007ENGR | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2641 |
EPC8008ENGR | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2514 |
EPC8009 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1394 |
EPC8009ENGR | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2738 |
EPC8010 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2642 |
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輸送方法 | ||
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