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EPC8005ENGR 技術仕様

TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 275 mOhm @ 500mA, 5V
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 29pF @ 32.5V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 65V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Series eGaN®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta)
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EPC8002 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2559
EPC8002ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2547
EPC8003ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2558
EPC8004 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2774
EPC8004ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2593
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