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EPC8010 技術仕様

TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Series eGaN®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.48nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +6V, -4V
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 500mA, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
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EPC8002 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2559
EPC8002ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2547
EPC8003ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2558
EPC8004 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2774
EPC8004ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2593
EPC8005ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2557
EPC8007ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2641
EPC8008ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2514
EPC8009 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1394
EPC8009ENGR EPC トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2738

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