APT58M50JCU2 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 59A SOT227

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package SOT-227
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 42A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 543W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A
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APT58F50J Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2795
APT58F80J MICROSEMI IGBTモジュール 2736
APT58M50J Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2893
APT58M50J Microsemi Corporation 単一MOSFETトランジスタ
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