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APT58MJ50J 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 42A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
APT58F50J Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2795
APT58F80J MICROSEMI IGBTモジュール 2736
APT58M50J Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2893
APT58M50J Microsemi Corporation 単一MOSFETトランジスタ
APT58M50JCU2 Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2746
APT58M50JCU3 Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2682
APT58M50JU2 Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2959
APT58M50JU3 Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2576
APT58M50JV2 Microsemi IGBTモジュール 2550
APT58M80J Microsemi トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2817

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APT58MJ50J ブランドメーカー: Microsemi, Bonchip ストック, APT58MJ50J 参考価格. APT58MJ50J パラメーター, APT58MJ50J データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 APT58MJ50J プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 APT58MJ50J ピン図と回路図と機能の使用方法、 APT58MJ50J エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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