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APT58M50JU3
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APT58M50JU3 技術仕様
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power Dissipation (Max) | 543W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A |
APT58M50JU3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください APT58M50JU3
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データシート
APT58M50JU3.pdf
その他には以下が含まれます: "APT58" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'APT58'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
APT58F50J | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2795 |
APT58F80J | MICROSEMI | IGBTモジュール | 2736 |
APT58M50J | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2893 |
APT58M50J | Microsemi Corporation | 単一MOSFETトランジスタ | |
APT58M50JCU2 | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2746 |
APT58M50JCU3 | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2682 |
APT58M50JU2 | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2959 |
APT58M50JV2 | Microsemi | IGBTモジュール | 2550 |
APT58M80J | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2817 |
APT58MJ50J | Microsemi | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2522 |
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