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HGT1S7N60A4DS
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HGT1S7N60A4DS 技術仕様
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - シングル |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 390V, 7A, 25 Ohm, 15V |
Switching Energy | 55µJ (on), 60µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 34ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 37nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 34A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
Td (on/off) @ 25°C | 11ns/100ns |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Power - Max | 125W |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 56A |
HGT1S7N60A4DS 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "HGT1S" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
HGT1S10N120BNS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 3141 |
HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 1180 |
HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
HGT1S10N120BNST | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 3181 |
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 5213 |
HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 647 |
HGT1S12N60A4DS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2995 |
HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 578 |
HGT1S12N60A4DS | ON Semiconductor | 単一IGBT |
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HGT1S7N60A4DS ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, HGT1S7N60A4DS 参考価格. HGT1S7N60A4DS パラメーター, HGT1S7N60A4DS データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 HGT1S7N60A4DS プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 HGT1S7N60A4DS ピン図と回路図と機能の使用方法、 HGT1S7N60A4DS エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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