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NSVMUN5133DW1T1G 技術仕様

TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 250mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Max Power Dissipation 250mW
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Lead Free Lead Free
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2236T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSVMUN5111DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 443211

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NSVMUN5133DW1T1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVMUN5133DW1T1G 参考価格. NSVMUN5133DW1T1G パラメーター, NSVMUN5133DW1T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVMUN5133DW1T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVMUN5133DW1T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVMUN5133DW1T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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