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NSVMUN5213DW1T3G
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NSVMUN5213DW1T3G 技術仕様
TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 250mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 250mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSVMUN5213DW1T3G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NSVMUN5213DW1T3G
-
データシート
その他には以下が含まれます: "NSVMU" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NSVMU'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NSVMUN2112T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2673 |
NSVMUN2112T1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVMUN2212T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 3242 |
NSVMUN2212T1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVMUN2233T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2772 |
NSVMUN2233T1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVMUN2236T1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVMUN2237T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 18227 |
NSVMUN2237T1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSVMUN5111DW1T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 443211 |
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NSVMUN5213DW1T3G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVMUN5213DW1T3G 参考価格. NSVMUN5213DW1T3G パラメーター, NSVMUN5213DW1T3G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVMUN5213DW1T3G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVMUN5213DW1T3G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVMUN5213DW1T3G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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