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RGTH80TK65DGC11 技術仕様

IGBT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 66W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 58ns
Current - Collector (Ic) (Max) 31A
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 194 ns
Gate Charge 79nC
Td (on/off) @ 25°C 34ns/120ns
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RGTH80TK65DGC11 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RGTH80TK65GC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTH80TS65DG LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 330
RGTH80TS65DGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2507
RGTH80TS65DGC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTH80TS65GC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2712
RGTH80TS65GC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT

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RGTH80TK65DGC11 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, RGTH80TK65DGC11 参考価格. RGTH80TK65DGC11 パラメーター, RGTH80TK65DGC11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RGTH80TK65DGC11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RGTH80TK65DGC11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RGTH80TK65DGC11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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