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RGTH80TS65GC11 技術仕様

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 234W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Turn On Time 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 194 ns
Gate Charge 79nC
Td (on/off) @ 25°C 34ns/120ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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RGTH80TS65GC11 書類

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RGTH80TK65DGC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTH80TK65GC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTH80TS65DG LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 330
RGTH80TS65DGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2507
RGTH80TS65DGC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTH80TS65GC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2712

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RGTH80TS65GC11 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, RGTH80TS65GC11 参考価格. RGTH80TS65GC11 パラメーター, RGTH80TS65GC11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RGTH80TS65GC11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RGTH80TS65GC11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RGTH80TS65GC11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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