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RGTH80TS65DGC11 技術仕様

IGBT 650V 70A 234W TO-247N

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 58 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.6V
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Continuous Collector Current 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
REACH SVHC Unknown
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 234W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 234W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 70A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Turn On Time 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Turn Off Time-Nom (toff) 194 ns
Gate Charge 79nC
Td (on/off) @ 25°C 34ns/120ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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RGTH80TK65DGC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTH80TK65GC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT
RGTH80TS65DG LAPIS Semiconductor 特殊なホットIC 330
RGTH80TS65DGC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2507
RGTH80TS65GC11 LAPIS Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2712
RGTH80TS65GC11 ROHM Semiconductor 単一IGBT

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RGTH80TS65DGC11 ブランドメーカー: ROHM Semiconductor, Bonchip ストック, RGTH80TS65DGC11 参考価格. RGTH80TS65DGC11 パラメーター, RGTH80TS65DGC11 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RGTH80TS65DGC11 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RGTH80TS65DGC11 ピン図と回路図と機能の使用方法、 RGTH80TS65DGC11 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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