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EPC2107ENGRT 技術仕様

TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A, 500mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V
FET Type 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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EPC2100 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2532
EPC2100ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2719
EPC2100ENGRT EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2619
EPC2101 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2635
EPC2101ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2664
EPC2101ENGRT EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2689
EPC2102 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2692
EPC2102ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2715
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EPC2103 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2766

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