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EPC2110
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EPC2110 技術仕様
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
Series | eGaN® |
Power - Max | - |
Package / Case | Die |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 14 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | 917-1152-1 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
EPC2110 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください EPC2110
-
データシート
EPC2110.pdf
その他には以下が含まれます: "EPC21" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'EPC21'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
EPC2100 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2532 |
EPC2100ENG | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2719 |
EPC2100ENGRT | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2619 |
EPC2101 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2635 |
EPC2101ENG | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2664 |
EPC2101ENGRT | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2689 |
EPC2102 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2692 |
EPC2102ENG | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2715 |
EPC2102ENGRT | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2580 |
EPC2103 | EPC | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2766 |
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輸送方法 | ||
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