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EPC2110ENGRT 技術仕様

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 700µA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 60V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
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EPC2100ENG EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2719
EPC2100ENGRT EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2619
EPC2101 EPC トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2635
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